O presente trabalho teve como objetivo avaliar os efeitos da poda química de raízes com sulfato de
cobre, oxicloreto de cobre e ethefon (ácido 2-cloroetilfosfônico) sobre o crescimento e qualidade de mudas
de Pinus taeda L. produzidas em tubetes. Os tratamentos à base de sulfato de cobre ou oxicloreto de cobre
foram feitos nos tubetes (antes da sua utilização para preenchimento com substrato e semeadura), por meio
da sua imersão em uma mistura de partes iguais de água e tinta látex comum, contendo 0, 12, 24, 36 e 48g de
cobre L-1 de solução (tinta + água). O ethefon foi aplicado via aérea em mudas com 10-15cm de altura nas
concentrações de 0, 50, 75, 100 e 125 mg (i.a.) L-1. Foi utilizado o delineamento em blocos ao acaso com
cinco repetições. Considerando as fontes de cobre testadas, apenas o sulfato de cobre ocasionou redução
significativa na massa seca total do sistema radicular, pela inibição do desenvolvimento de raízes
secundárias, bem como no diâmetro do colo e na altura e massa secada parte aérea, com o aumento da dose
aplicada. O incremento nas doses de sulfato de cobre ocasionou aumento maior na concentração de cobre
presente no substrato em relação ao oxicloreto de cobre. O incremento nas doses de oxicloreto de cobre não
causou redução na massa seca total do sistema radicular, mas promoveu aumento no número de raízes
secundárias, concentradas especialmente nas porções mediana e superior do sistema radicular. O sulfato de
cobre reduziu a emissão de raízes laterais, o mesmo fato não ocorrendo com o oxicloreto de cobre. Dessa
forma, o incremento nas doses de oxicloreto de cobre parece apresentar efeito positivo em relação ao sulfato
de cobre, já que um sistema radicular com maior número de raízes secundárias curtas é desejável visando
estabelecimento das mudas a campo. O incremento nas doses de ethefon pulverizado na parte aérea das
mudas ocasionou aumento significativo no acúmulo de massa seca de raiz primária e no número de raízes
secundárias presentes nas porções mediana (efeito linear) e inferior (efeito quadrático) do sistema radicular.
Não houve efeito de dose do ethefon sobre os demais atributos de crescimento analisados.
This work was carried out to study the effects of roots pruning with cupper sulphate, cupper
oxychlorate and ethephon (2-cloroethtlphosphonic acid) on growth and quality of Pinus taeda L. seedlings
produced in tubes. The treatments with cupper sulphate or cupper oxychlorate were applied on the tubes
(before their filling with the substrate for plantation), by immersing them into a mixture of equal parts of
water and latex paint, at cupper doses of 0, 12, 24, 36, and 48g L-1 of solution (paint + water). The ethefon
was sprayed to the aerial part of seedlings (10-15cm height) at 0, 50, 75, 100, and 125 mg (a.i.) L-1. The
experiment followed a completely randomized block design with five replicates. Considering the cupper
sources, only cupper sulphate reduced the attributes of root dry matter (mainly by inhibiting the development
of lateral roots), collar diameter, seedlings height, and aerial dry matter, with the increase of product dose.
The increment of cupper sulphate doses resulted in a higher increase of copper concentration in the substrate
than the increase of cupper oxychlorate doses. The increment of cupper oxychlorate doses did not reduce the
total root dry matter, but increased the number of lateral roots at the median and higher portion of the root system. Cupper sulphate significantly reduced the emission of lateral roots, as opposed to the effect of
cupper oxychlorate. Therefore, the use of increasing doses of cupper oxychlorate seems to show a more
positive effect on root pruning, compared to cupper sulphate, since a seedling with a large number of lateral
roots of small length is desirable aiming the seedling establishment after transplantation. The increase of
ethefon dose sprayed at seedlings aerial part increased the principal root dry matter and the number of later
roots at the median (linear effect) and lower (quadratic effect) parts of root system. There was no effect of
ethefon on the other seedling growth attributes.
