Crescimento e qualidade de mudas de Pinus taeda L. submetidas à poda química de raízes com cobre e ethefon

Abstract

O presente trabalho teve como objetivo avaliar os efeitos da poda química das raízes com sulfato de cobre, oxicloreto de cobre e ethefon (ácido 2-cloroetilfosfônico) sobre o crescimento e qualidade de mudas de Pinus taeda L. produzidas em tubetes. O experimento foi conduzido em viveiro comercial de produção de mudas no município de Lages, SC. Os tratamentos a base de sulfato de cobre ou oxicloreto de cobre foram feitos através da imersão dos tubetes em uma mistura de partes iguais de água e tinta látex comum, contendo 0, 12, 24, 36 e 48g de cobre L-1 de solução (tinta + água). O ethefon foi aplicado via aérea em mudas com 10-15cm de altura nas concentrações de 0, 50, 75, 100 e 125 mg (i.a.) L-1. Foi utilizado o delineamento em blocos ao acaso com cinco repetições. As variáveis analisadas em mudas com oito meses de idade foram alturas de parte aérea, massa seca da parte aérea e de raízes (total, de raiz primária e de raízes secundárias), diâmetro do coleto, número de raízes secundárias em três porções do sistema radicular (superior média e inferior), Índice de Qualidade de Dickson (IQD), e as relações altura/diâmetro do coleto, altura/massa seca de parte aérea e massa seca de parte aérea/massa seca do sistema radicular. Considerando o aumento da dose aplicada das fontes de cobre testadas, apenas o sulfato de cobre ocasionou redução significativa (P < 0,01) na massa seca de raízes, no diâmetro do coleto, na altura e na massa seca de raízes secundárias. O incremento nas doses de sulfato de cobre promoveu redução na massa seca total do sistema radicular, especialmente através da inibição do desenvolvimento de raízes secundárias. O incremento nas doses de sulfato de cobre ocasionou aumento na concentração de cobre presente no substrato e nos tecidos do sistema radicular das mudas em relação ao oxicloreto de cobre. Desta forma, as mudas que receberam tratamento com as doses mais altas de sulfato de cobre apresentaram redução no IQD e no crescimento da parte aérea, demonstrando claramente sintoma de toxidez por cobre. O incremento nas doses de oxicloreto de cobre não causou redução na massa seca total do sistema radicular, mas promoveu aumento no número de raízes secundárias, concentradas especialmente nas porções mediana e superior do sistema radicular. O oxicloreto de cobre, mesmo nas doses mais elevadas, não ocasionou redução no IQD e no crescimento da parte aérea, indicando que não houve toxidez pelo cobre. Portanto, apesar do efeito promotor do sulfato de cobre na poda química do sistema radicular, o produto reduziu significativamente a emissão de raízes laterais, o mesmo não ocorrendo com o oxicloreto de cobre. Desta forma, o incremento nas doses de oxicloreto de cobre parece apresentar um efeito positivo maior em relação ao sulfato de cobre, já que um sistema radicular com maior número de raízes secundária curtas é desejável visando estabelecimento das mudas a campo. O incremento nas doses de ethefon aplicados na parte aérea das mudas, visando a liberação de etileno, não foi efetivo na poda química de raízes. O incremento nas doses de ethefon apenas ocasionou aumento significativo no acúmulo de matéria seca de raiz primária. Não houve efeito de dose do ethefon sobre os demais atributos de crescimento analisados.

This work was carried out to study the effects of roots pruning with cupper sulphate, cupper oxychlorate and ethephon (2-cloroethtlphosphonic acid) on quality and growth of Pinus taeda L. seedlings. The experiment was conducted in a commercial nursery in Lages, SC. The treatments with cupper sulphate or cupper oxychlorate were applied by immersing the containers in a mixture of equal parts of water and latex paint, at cupper doses of 0, 12, 24, 36, and 48g L-1 of solution (paint + water). The ethefon was sprayed to the aerial part of seedlings (10-15cm height) at 0, 50, 75, 100, and 125 mg (a.i.) L-1. The experiment followed a completely randomized block design with five replicates. Eight months old seedlings were assessed for height, aerial dry matter, root dry matter (principal and lateral roots), collar diameter, number of lateral roots at three root portions (superior, medium, and lower parts), Dickson Quality Index (DQI), height/collar diameter ratio, height/aerial dry matter ratio, and aerial dry matter/root dry matter ratio. Considering the increase of product dose cupper sources, only cupper sulphate reduced (P < 0.01) the attributes of root dry matter (total, principal and lateral roots), collar diameter, and seedlings height. The increase of cupper sulphate dose reduced the total root dry matter mainly by inhibiting the development of lateral roots. The increment of cupper sulphate doses resulted in increase of copper concentration in the substrate and in the root tissues of Pinus seedlings than the increase of cupper oxychlorate doses. As a result seedlings treated with increasing doses of cupper sulphate showed significant reduction of DQI and aerial part growth, indicating cupper toxicity. The increment of cupper oxychlorate doses did not reduce the total root dry matter, but increased the number of lateral roots at the median and higher portion of the root system. The cupper oxychlorate, even at the highest dose, did not reduce the DQI and the aerial part growth, indicating the absence of cupper toxicity. Then, despite of its root pruning effect, cupper sulphate significantly reduced the emission of lateral roots, as opposed to the effect of cupper oxychlorate. Therefore, the increase of cupper oxychlorate doses seems to show a more positive effect than the increase of cupper sulphate doses on root pruning, since a seedling with a large number of lateral roots of small length is desirable aiming the seedling establishment after transplantation. The increase of ethefon dose sprayed at seedlings aerial part, to release ethylene, was not effective for root pruning. The increase of ethefon dose only increased the principal root dry matter. There was no effect of ethefon on the other seedling growth attributes.